P沟道场效应管（PMOS）是场效应管的一种，是由负型，中性区域，正型单管共删掉极的三层异质材料(PSi N-well，P Poly-Si gate，和N source/drain)，它能够在NMOSFET不能工作的等离子体处理设备中正常工作。
与N沟道场效应管（NMOS）相比，P沟道场效应管具有较高的电子迁移率，更优秀的电流噪声，但速度较慢，功耗较大。同时，P沟道场效应管的制作工艺相对复杂，成本也较高。
在一些电路中，P沟道场效应管有着不可替代的作用，例如在大型储存器件DRAM中，由于具有高阻抗输入，它可以被用于输入缓冲。P沟道场效应管也可以被用于驱动高压负载和直接接口 CMOS 逻辑电路与高电压和负电压外围电路。
